pp电子当AMD还在纠结于第二季度推出28纳米处理器的时候，英特尔又开始了新一轮的军备竞赛，22纳米已经箭在弦上，但英特尔下一代已经突破了目前的平面局限，面前三次元位面！

　　英特尔这款3D晶体管设计简单来说就是三栅极工艺，通过在晶体管表面形成三个 鳍的结构可以让英特尔新一代22纳米的芯片具有更低的电压和更低的电流泄露。

　　“这些3D晶体管给用户的收益将是前所未有的。”英特尔公司高级副总裁兼技术制造集团总经理比尔*霍特在旧金山举行记者招待会时这样评说。他表示，三栅极晶体管将被用于英特尔所有的产品上，将包括高端服务器芯片、PC和笔记本，以及低功耗的智能手机和移动设备。

　　采用三栅极的22纳米芯片在低功率条件下，相比32纳米产品将有37%的性能增益，而且功耗可降低多达50%。但在成本上，新型三栅极晶体管有一定的成本提升，相比过去传统的平面型晶体管，三栅极晶体管的成本要高2~3%，当然这点成本的提升相比性能和功耗的优势是微不足道的。

　　最后，英特尔表示，三栅极晶体管技术大概领先竞争对手3年左右，Tri-Gate三栅极工艺采用的首批产品就是我们已经非常熟悉的Ivy Bridge（根据摩尔定律，性能几乎领先4倍）